华为Mate60Pro系列的发布，没有预热、没有发布会、没有详细的硬件参数介绍，这给媒体及拆解机构对这款手机细节的曝光埋下了伏笔。而网友最关心的，莫过于Mate60Pro机身内部搭载的这颗心脏-麒麟9000S芯片。

由于芯片逆向分析门槛比较高，普通玩家仅能从标识、测试方面判断这是来自国内芯片厂代工，性能比上一代麒麟9000略强，大概率能猜出是哪个芯片厂，但用到了多少什么工艺？晶体管密度怎么样？只能等待业内专业机构的拆解报告。

在该专业领域，strategy analytics的母公司TechInsights是芯片逆向工程领域全球领先的企业，曾经拆解并分析、曝光过包括三星、镁光、SK海力士、长江存储在内的最新型的芯片。华为麒麟芯片的回归，自然也成了其研究的重点课题。

此前，TechInsights拆解并发文表示，麒麟9000S采用了7nm或等效7nm的制造工艺，并且确定了产自大陆芯片厂，而近期，TechInsights又带来了更进一步的细节，TechInsights通过电子显微镜扫描出来的结果显示，麒麟9000S的密度为100MTR/mm²，也就是晶体管的密度为100万晶体管每平方毫米，这一密度已经超过了台积电的N7P。

放眼当下，台积电的N7P已经是用DUV光刻机做出来的最大晶体管密度了，华为芯片晶体管密度能超过台积电N7P，一些外媒发出感慨：这是目前所知DUV光刻机的极限了，基本上已经接近略逊一筹的三星5nm工艺了！

关于TechInsights的分析，到底是不是真的，见仁见智，不排除这是对中国芯片产业取得突破的赞美，也不排除这是中美科技竞争压力之下对中国芯片产业的“捧杀”！

在制造工艺方面，中芯国际有N+1工艺，等同于台积电10nm工艺，还有N+2工艺，等效7nm工艺，而外界一直认为，这很可能就是N+2工艺。此外，TechInsights还确定不是EUV工艺，因为EUV的光刻痕迹与DUV光刻留下的痕迹不一样。

那没有EUV光刻机，怎么能达到堪比三星5nm、超过台积电DUV 7nm的水平呢？

其实了解ASML光刻机的分类就会发现，采用193nm波长的光源经过水的折射后可以来到134nm，再经过多次曝光后可以实现7nm，经过多次曝光后可以来到7nm。所以即便没有EUV光刻机，也能成功实现7nm工艺芯片的量产。

不过，有一点我们要有一个清醒的认知，麒麟芯片的回归，确实印证了我国已经打通中高端芯片生产线，但我国芯片产业所面临的形势依旧非常严峻。为什么这样说呢？

台积电用DUV光刻机生产7nm工艺芯片的模式已经淘汰了，而是直接选择EUV光刻机进行生产，因为多次曝光的过程，不仅会导致良品率降低，成本大幅提升，生产效率还会明显降低，因为每生产一颗芯片需要曝光3次，所以这就需要更多中高端型号的DUV光刻机。

目前ASML虽然可以出货，但产能有限，2024年1月1日申请许可过期。想要制造7nm芯片，并且实现产能上的稳定性，还需要国产DUV光刻机的落地。想要制造比麒麟9000S工艺更先进的芯片，只能靠EUV光刻机，因为国内芯片企业基本已榨干了DUV光刻机的性能，所以这需要一定的时间。

不过，我国有全球最大的芯片市场，也在成为芯片产能最大的国家，还有一大批敢于浴血奋战的科研人员、大量的科研经费，相信国产芯片的未来是可期的！

关于此事，大家怎么看？